VB4290
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:65mΩ @ 2.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.4W(Tc) 类型:双P沟道
VB4290的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)-20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)4A(Tc)
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻65mΩ @ 2.5A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.4W(Tc)
类型双P沟道
VB4290
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VB4290 | Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET | VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd] | ![VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO](/PdfSupLogo/1345VBSEMI.GIF) | 686.1 Kbytes | 共9页 |  | 无 |
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