UTT18P10L-TN3-R
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A 漏源电压(Vdss):-100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:200mΩ @ 18A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):150W 类型:P沟道
UTT18P10L-TN3-R的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)-100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)18A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻200mΩ @ 18A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)150W
类型P沟道
UTT18P10L-TN3-R
UTT18P10L-TN3-R的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 立创商城 | UTT18P10L-TN3-R | UTC(友顺) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A 漏源电压(Vdss):-100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:200mΩ @ 18A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):150W 类型:P沟道 | 1+:¥1.4608 10+:¥1.096 30+:¥1.029 100+:¥0.962
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