FET 类型2 个 P 沟道（双）
FET 功能逻辑电平门
漏源电压（Vdss）20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）1.9A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）170 毫欧 @ 1.9A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）4.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）441pF @ 10V
功率 - 最大值700mW
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装SuperSOT™-6
无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs