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UPD63911BGB(A)-GAH-AX /MOSFET N-CH
UPD63911BGB(A)-GAH-AX的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

Series*

PackageBulk

FET Type-

Technology-

Drain to Source Voltage (Vdss)-

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C-

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-

Rds On (Max) @ Id, Vgs-

Vgs(th) (Max) @ Id-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-

Vgs (Max)-

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-

FET Feature-

Power Dissipation (Max)-

Operating Temperature-

Mounting Type-

Supplier Device Package-

Package / Case-

供应商UPD63911BGB(A)-GAH-AX
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深圳市芯幂科技有限公司UPD63911BGB(A)-GAH-AX深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405+86-13267088774(微信同号)李昊skype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:lihao@xinmisc.com询价
深圳市三砖科技有限公司UPD63911BGB(A)-GAH-AX深圳市福田区华强北街道华航社区红荔路3003号上步工业区201栋58818823887255黄先生Email:22189018@qq.com询价
深圳市物量万芯科技有限公司UPD63911BGB(A)-GAH-AX深圳市福田区华强北街道赛格广场6507AB0755-82715430
18194045272
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深圳市科之盛科技有限公司UPD63911BGB(A)-GAH-AX深圳市福田区红荔路3013-5号上航大厦西座4楼4100755-82557986
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深圳市金狮鼎科技有限公司UPD63911BGB(A)-GAH-AX红荔路3013-5号上航大厦西座4层0755-88312882
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15913992480
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