FET 类型2 个 N 沟道（双）

FET 功能标准

漏源电压（Vdss）60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）7A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）35 毫欧 @ 3.5A，10V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）29nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1300pF @ 10V

功率 - 最大值2W

工作温度150°C（TJ）

安装类型表面贴装

封装/外壳8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）

供应商器件封装8-SOP

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs