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UNR521WG0L /
UNR521WG0L的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

晶体管类型NPN - 预偏压

电流 - 集电极(Ic)(最大值)100mA

电压 - 集射极击穿(最大值)50V

电阻器 - 发射极基底(R2)100 千欧

不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)80 @ 5mA,10V

不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)250mV @ 300µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值)500nA

频率 - 跃迁100MHz

功率 - 最大值150mW

安装类型表面贴装

封装/外壳SC-85

供应商器件封装S迷你型3-F2

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs

供应商UNR521WG0L
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UNR521WG0LPanasonic Corporation晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 - 分立半导体产品3000+:¥0.42
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