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UMW15N10 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:80mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:N沟道
UMW15N10的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)100V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)20A(Tc)

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻80mΩ @ 10A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)50W(Tc)

类型N沟道

供应商UMW15N10
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UMW15N10连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:80mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:N沟道UMW(友台半导体)UMW(友台半导体)的LOGO1.84 Mbytes共6页UMW15N10的PDF下载地址
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UMW15N10UMW(友台半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:80mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:N沟道1+:¥0.9215
10+:¥0.6965
30+:¥0.6552
100+:¥0.6139
500+:¥0.5955
1000+:¥0.5865