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UMW15N10 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：80mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道

UMW15N10的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）100V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）20A(Tc)

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻80mΩ @ 10A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）50W(Tc)

类型N沟道

UMW15N10

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UMW15N10	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：80mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道	UMW(友台半导体)		1.84 Mbytes	共6页		无

UMW15N10的全球分销商及价格

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立创商城	UMW15N10	UMW(友台半导体)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：80mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥0.9215 10+:￥0.6965 30+:￥0.6552 100+:￥0.6139 500+:￥0.5955 1000+:￥0.5865

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