应用通用

安装类型表面贴装，MLCC

封装/外壳0201（0603 公制）

尺寸 0.024" 长 x 0.012" 宽（0.60mm x 0.30mm）

厚度（最大值）0.013"（0.33mm）

容值2.7pF

偏差±0.25pF

电压50V

温度系数C0G，NP0

工作温度-55°C ~ 125°C

FET 类型N 沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）330V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）18A（Tc）

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）44nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs10V

Vgs（最大值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1650pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds25V

功率耗散（最大值）150W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）180 毫欧 @ 9A，10V

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs