标准包装：3,000
晶体管类型：2 NPN - Pre-Biased (Dual)
集电极电流（Ic）（最大）：50mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V
电阻 - 基地（R1）（欧姆）：10k
电阻器 - 发射基地（R2）（欧姆）：10k
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：30 @ 5mA, 5V
Vce饱和（最大）@ IB，IC：300mV @ 500µA, 10mA
电流 - 集电极截止（最大）：500nA
频率转换：250MHz
功率 - 最大：150mW
安装类型
：Surface Mount
包/盒
：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商器件封装：SOT-363
包装材料
：Tape & Reel (TR)
动态目录：NPN Pre-Biased Transistor Arrays###/catalog/en/partgroup/npn-pre-biased-transistor-arrays/15777?mpart=UMH11N-TP&vendor=353&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称；
供应商封装形式：SOT-363
标准包装名称：SOT-26
欧盟RoHS指令：Compliant
最高工作温度：150
最低工作温度：-55
包装高度：1(Max)
典型输入电阻：10
最大功率耗散：150
封装：Tape and Reel
Maximum Continuous DC Collector Current ：50
包装宽度：1.35(Max)
安装：Surface Mount
PCB：6
包装长度：2.2(Max)
典型电阻器比率：1
配置：Dual
类型：NPN
引脚数：6
铅形状：Gull-wing
电流 - 集电极（ Ic）（最大）：50mA
晶体管类型：2 NPN - Pre-Biased (Dual)
频率 - 转换：250MHz
电阻器 - 基（ R1 ） （欧姆）：10k
电流 - 集电极截止（最大）：500nA
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：300mV @ 500µA, 10mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V
供应商设备封装：SOT-363
电阻器 - 发射极基（ R 2 ） （欧姆）：10k
功率 - 最大：150mW
标准包装：3,000
封装/外壳：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
安装类型：Surface Mount
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：30 @ 5mA, 5V
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
其他名称：UMH11N-TPMSCT
安装风格：SMD/SMT
系列：UMH11N
直流集电极/增益hfe最小值：30
最大工作频率：250 MHz
功率耗散：150 mW
典型输入电阻：10 KOhms
最高工作温度：+ 150 C