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UM6K1NTN /MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363
UM6K1NTN的规格信息
UM6K1NTN的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ROHM Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-363-6

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:100 mA

Rds On-漏源导通电阻:8 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:800 mV

Vgs - 栅极-源极电压:4 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:150 mW

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.9 mm

长度:2 mm

产品:MOSFET Small Signal

系列:UM6K1N

晶体管类型:2 N-Channel MOSFET

类型:MOSFET

宽度:1.25 mm

商标:ROHM Semiconductor

下降时间:80 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:35 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:80 ns

典型接通延迟时间:15 ns

零件号别名:UM6K1N

单位重量:7.500 mg

供应商UM6K1NTN
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深圳市坤融电子有限公司UM6K1NTN MOS(场效应管)航都大厦10I0755-23990975
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UM6K1NTNROHM SemiconductorFET - 阵列 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-3633000+:¥0.74
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