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ULN2004AFWG,N,E /
ULN2004AFWG,N,E的规格信息
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晶体管类型7 NPN 达林顿

电流 - 集电极(Ic)(最大值)500mA

电压 - 集射极击穿(最大值)50V

不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)1.6V @ 500µA,350mA

电流 - 集电极截止(最大值)50µA

不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)1000 @ 350mA,2V

功率 - 最大值1.25W

工作温度-40°C ~ 85°C(TA)

封装/外壳16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装16-SOL

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs

供应商ULN2004AFWG,N,E
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集好芯城ULN2004AFWG,N,E深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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深圳市芯幂科技有限公司ULN2004AFWG,N,E深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市赛美科科技有限公司ULN2004AFWG,N,E广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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深圳市瑞浩芯科技有限公司ULN2004AFWG,N,E深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873
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ULN2004AFWG,N,E晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 7 NPN 达林顿 50V 500mA 1.25W 表面贴装型 16-SOLToshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage的LOGO341.76 Kbytes共11页ULN2004AFWG,N,E的PDF下载地址
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ULN2004AFWG,N,EToshiba America Electronic Components, Inc.晶体管(BJT) - 阵列 - 分立半导体产品1+:¥4.29
10+:¥3.59
25+:¥3.15
100+:¥2.7
250+:¥2.34
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