图像仅供参考,请参阅规格书
制造商:UnitedSiC
产品种类:MOSFET
技术:SiC
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-247-3
Rds On-漏源导通电阻:60 mOhms
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:192 W
配置:Single
封装:Tube
商标:UnitedSiC
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:30
子类别:MOSFETs
单位重量:6 g