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UJ3N120035K3S /JFET 35m? - 1200V SiC Normally-On JFET
UJ3N120035K3S的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:UnitedSiC

产品种类:JFET

RoHS:

技术:SiC

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

晶体管极性:N-Channel

配置:Single

Vds-漏源极击穿电压:1200 V

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

Id-连续漏极电流:63 A

Rds On-漏源导通电阻:35 mOhms

Pd-功率耗散:429 W

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

封装:Tube

商标:UnitedSiC

产品类型:JFETs

工厂包装数量:30

子类别:Transistors

供应商UJ3N120035K3S
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UJ3N120035K3SUnitedSiCJFET 35m? - 1200V SiC Normally-On JFET1:¥370.2106
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