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UF630L-TA3-T /连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A(Tc) 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:400mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):73W(Tc) 类型:N沟道
UF630L-TA3-T的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)200V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)9A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻400mΩ @ 5A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)73W(Tc)

类型N沟道

供应商UF630L-TA3-T
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