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UF28100V /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 100Watts 28Volt 10dB
UF28100V的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:MACOM

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:12 A

Vds-漏源极击穿电压:65 V

增益:10 dB

输出功率:100 W

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:744A-01

封装:Tray

配置:Dual

工作频率:100 MHz to 500 MHz

类型:RF Power MOSFET

商标:MACOM

正向跨导 - 最小值:1.5 S

Pd-功率耗散:250 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:10

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:6 V

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UF28100VRF MOSFET Power Transistor, 15W, 28V 100-500MHz MACOM[Tyco Electronics]MACOM[Tyco Electronics]的LOGO208.7 Kbytes共3页UF28100V的PDF下载地址UF2815B,UF2810P,UF2805B,UF281OOM,DU2805S,UF281OOV,DU2810S,UF2820P,DU28120T,UF2820R
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UF28100VMACOM射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 100Watts 28Volt 10dB1:¥1,137.9213
2:¥1,118.9486
5:¥1,100.5748
10:¥1,082.8338
25:¥1,043.7923