UF07P15G-AE3-R
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):700mA 漏源电压(Vdss):-150V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:3.1Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):600mW 类型:P沟道
UF07P15G-AE3-R的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)-150V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)700mA
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻3.1Ω @ 500mA,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)600mW
类型P沟道
UF07P15G-AE3-R
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UF07P15G-AE3-R | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):700mA 漏源电压(Vdss):-150V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:3.1Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):600mW 类型:P沟道 | UTC(友顺) |  | 274.78 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
UF07P15G-AE3-R的全球分销商及价格
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 立创商城 | UF07P15G-AE3-R | UTC(友顺) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):700mA 漏源电压(Vdss):-150V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:3.1Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):600mW 类型:P沟道 | 5+:¥0.64553 50+:¥0.475598 150+:¥0.444386 500+:¥0.413174
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