图像仅供参考，请参阅规格书
驱动配置半桥
通道类型独立式
驱动器数2
栅极类型N 沟道 MOSFET
电压 - 电源8 V ~ 17 V
逻辑电压 - VIL，VIH0.8V，2.5V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）3A，3A
输入类型非反相
高压侧电压 - 最大值（自举）120V
上升/下降时间（典型值）8ns，7ns
工作温度-40°C ~ 140°C（TJ）
安装类型表面贴装
封装/外壳8-VDFN 裸露焊盘
供应商器件封装8-VSON（4x4）
无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs