图像仅供参考,请参阅规格书
驱动配置低压侧
通道类型独立式
驱动器数2
栅极类型N 沟道,P 沟道 MOSFET
电压 - 电源5 V ~ 40 V
逻辑电压 - VIL,VIH0.8V,2.2V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出)1.5A,1.5A
输入类型反相
上升/下降时间(典型值)20ns,20ns
工作温度-55°C ~ 125°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装16-SOIC
无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs