FET 类型N 沟道
电压 - 击穿(V(BR)GSS)40V
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)30mA @ 20V
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)5V @ 1nA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)16pF @ 20V
电阻 - RDS(开)30 Ohms
功率 - 最大值625mW
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔
封装/外壳TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
供应商器件封装TO-92-3
无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs