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TTD90N03AT /连续漏极电流(Id)(25°C 时):90A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.4V @ 250uA 漏源导通电阻:5mΩ @ 30A, 10V 最大功率耗散(Ta=25°C):103W(Tc) 类型:N沟道
TTD90N03AT的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)90A(Tc)

栅源极阈值电压2.4V @ 250uA

漏源导通电阻5mΩ @ 30A, 10V

最大功率耗散(Ta=25°C)103W(Tc)

类型N沟道

供应商TTD90N03AT
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TTD90N03AT连续漏极电流(Id)(25°C 时):90A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.4V @ 250uA 漏源导通电阻:5mΩ @ 30A, 10V 最大功率耗散(Ta=25°C):103W(Tc) 类型:N沟道无锡紫光微无锡紫光微的LOGO450.55 Kbytes共8页TTD90N03AT的PDF下载地址
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TTD90N03AT无锡紫光微连续漏极电流(Id)(25°C 时):90A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.4V @ 250uA 漏源导通电阻:5mΩ @ 30A, 10V 最大功率耗散(Ta=25°C):103W(Tc) 类型:N沟道1+:¥1.2119
10+:¥0.902
30+:¥0.8451
100+:¥0.7882
500+:¥0.7629
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