TTD90N03AT
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：90A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.4V @ 250uA 漏源导通电阻：5mΩ @ 30A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：103W(Tc) 类型：N沟道
TTD90N03AT的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）90A(Tc)
栅源极阈值电压2.4V @ 250uA
漏源导通电阻5mΩ @ 30A, 10V
最大功率耗散（Ta=25°C）103W(Tc)
类型N沟道
TTD90N03AT
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| TTD90N03AT | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：90A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.4V @ 250uA 漏源导通电阻：5mΩ @ 30A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：103W(Tc) 类型：N沟道 | 无锡紫光微 |  | 450.55 Kbytes | 共8页 |  | 无 |
TTD90N03AT的全球分销商及价格
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立创商城 | TTD90N03AT | 无锡紫光微 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：90A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.4V @ 250uA 漏源导通电阻：5mΩ @ 30A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：103W(Tc) 类型：N沟道 | 1+:￥1.2119
10+:￥0.902
30+:￥0.8451
100+:￥0.7882
500+:￥0.7629
1000+:￥0.7504
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