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TTC0001(Q,T) /Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
TTC0001(Q,T)的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

数据列表:TTC0001 -

标准包装:500

类别:分立半导体产品

家庭:晶体管(BJT) - 单路

系列:-

包装:散装

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极(Ic)(最大值):18A

电压 - 集射极击穿(最大值):160V

不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):2V @ 900mA,9A

电流 - 集电极截止(最大值):-

不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):80 @ 1A,5V

功率 - 最大值:150W

频率 - 跃迁:30MHz

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3

供应商器件封装:TO-3P(N)

其它名称:TTC0001(QT)TTC0001QT

供应商TTC0001(Q,T)
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