制造商:Taiwan Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSSOP-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:6.5 A

Rds On-漏源导通电阻:15 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:600 mV

Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V

Qg-栅极电荷:15 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.04 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Reel

晶体管类型:2 N-Channel

类型:N-Channel

商标:Taiwan Semiconductor

正向跨导 - 最小值:16 S

下降时间:2000 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:210 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:3700 ns

典型接通延迟时间:140 ns

单位重量:158 mg