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商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)800V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)18.4A(Tc)
栅源极阈值电压4.5V @ 250uA
漏源导通电阻240mΩ @ 9A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)151W(Tc)
类型N沟道