制造商:Texas Instruments

产品种类:MOSFET

Id-连续漏极电流:1.25 A

Vds-漏源极击穿电压:60 V

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :- 9 V to 18 V

Qg-栅极电荷:6 nC

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1390 mW

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOIC-24

商标:Texas Instruments

通道模式:Enhancement

配置:Quad

下降时间:28 ns

最小工作温度:- 40 C

上升时间:28 ns

系列:TPIC5423L

典型关闭延迟时间:20 ns

典型接通延迟时间:34 ns