FET 类型：2 个 N 通道（半桥）

FET 功能：GaNFET（氮化镓）

漏源电压（Vdss）：600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：70A（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：34 毫欧 @ 30A，8V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：28nC @ 8V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：2260pF @ 100V

功率 - 最大值：470W

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：模块

供应商器件封装：模块

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs