Rohs：Lead free / RoHS Compliant

标准包装：3,000

FET 型 ：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：Standard

漏极至源极电压（VDSS）：80V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：28A

Rds（最大）@ ID，VGS：9.4 mOhm @ 14A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：2.3V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：91nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：7540pF @ 10V

功率 - 最大：45W

安装类型 ：Surface Mount

包/盒 ：8-PowerVDFN

供应商器件封装：8-SOP Advance

包装材料 ：Tape & Reel (TR)

包装：8SOP EP

通道模式：Enhancement

最大漏源电压：80 V

最大连续漏极电流：28 A

RDS -于：9.4@10V mOhm

最大门源电压：±20 V

典型上升时间：3.4 ns

典型下降时间：6.3 ns

工作温度：-55 to 150 °C

安装：Surface Mount

标准包装：Tape & Reel

封装：Reel

产品种类：MOSFET

RoHS：RoHS Compliant