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TPC8128 /Toshiba TPC 系列 Si P沟道 MOSFET TPC8128, 16 A, Vds=30 V, 8引脚 SOP封装
TPC8128的规格信息
TPC8128的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

通道类型:P

最大连续漏极电流:16 A

最大漏源电压:30 V

最大漏源电阻值:6.9 m0hms

最大栅阈值电压:2V

最大栅源电压:-25 V,+20 V

封装类型:SOP

安装类型:表面贴装

引脚数目:8

晶体管配置:

通道模式:增强

类别:功率 MOSFET

最大功率耗散:1.9 W

高度:1.5mm

尺寸:5 x 4.4 x 1.5mm

宽度:4.4mm

最高工作温度:+150 °C

晶体管材料:Si

典型栅极电荷@Vgs:115 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds:4800 pF @ -10 V

典型关断延迟时间:420 ns

典型接通延迟时间:19 ns

长度:5mm

每片芯片元件数目:1

系列:TPC

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

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