TPB65R600C
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:620mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):63W(Tc) 类型:N沟道
TPB65R600C的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)7A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻620mΩ @ 3A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)63W(Tc)
类型N沟道
TPB65R600C
TPB65R600C的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 立创商城 | TPB65R600C | 无锡紫光微 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:620mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):63W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥2.004 10+:¥1.494 30+:¥1.404 100+:¥1.308 500+:¥1.266 1000+:¥1.248
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