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TP5335K1-G-VAO /MOSFET P-CH 350V 85MA SOT23-3
TP5335K1-G-VAO的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

Series-

PackageTape & Reel (TR)

FET TypeP-Channel

TechnologyMOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)350 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C85mA (Tj)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs30Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-

Vgs (Max)±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds110 pF @ 25 V

FET Feature-

Power Dissipation (Max)360mW (Ta)

Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting TypeSurface Mount

Supplier Device PackageSOT-23-3

Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商TP5335K1-G-VAO
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