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TP0610K-T1-E3 /MOSFET -60V Vds 20V Vgs SOT-23
TP0610K-T1-E3的规格信息
TP0610K-T1-E3的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:185 mA

Rds On-漏源导通电阻:6 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:1.7 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:350 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:TP0

晶体管类型:1 P-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:80 mS

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:35 ns

典型接通延迟时间:20 ns

零件号别名:TP0610K-E3

单位重量:8 mg

供应商TP0610K-T1-E3
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深圳市微碧半导体有限公司TP0610K-T1-E3-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
18118747668
许小姐Email:Reeta@vbsemi.cn询价
深圳市芯幂科技有限公司TP0610K-T1-E3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司TP0610K-T1-E3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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深圳市坤融电子有限公司TP0610K-T1-E3航都大厦10I0755-23990975
13926529829,17318082080
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深圳市科思奇电子科技有限公司TP0610K-T1-E3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
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深圳市毅创腾电子科技有限公司TP0610K-T1-E3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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深圳市赛美科科技有限公司TP0610K-T1-E3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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深圳市水星电子有限公司TP0610K-T1-E3地址1:深圳市龙岗区平湖街道华利嘉电子市场B1C177/地址2:深圳市福田区华强北街道赛格广场6402B0755-89585609
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京海半导体(深圳)有限公司TP0610K-T1-E3坂田街道五和大道山海大厦C栋70613424293273
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深圳市宇浩扬科技有限公司TP0610K-T1-E3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳亿恒升电子有限公司TP0610K-T1-E3都会100A座24A0755-29992989,0755-23945396
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集好芯城TP0610K-T1-E3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-82564006
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深圳市辉华拓展电子有限公司TP0610K-T1-E3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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陈晓玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
集好芯城TP0610K-T1-E3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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TP0610K-T1-E3P-Channel 60 V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO213.32 Kbytes共8页TP0610K-T1-E3的PDF下载地址
TP0610K-T1-E3P-Channel 60 V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO987.2 Kbytes共7页TP0610K-T1-E3的PDF下载地址
TP0610K-T1-E3的全球分销商及价格
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Allied Electronics
TP0610K-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET; P-Ch; VDSS -60V; RDS(ON) 10 Ohms; ID -185mA; TO-236 (SOT-23); PD 350mW; -55degc250 : $0.1618
500 : $0.1537
1,000 : $0.146
2,500 : $0.1387
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Arrow(艾睿)
TP0610K-T1-E3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin TO-236 T/R
RoHS : Compliant
100 : $0.1923
250 : $0.1833
500 : $0.1581
1,000 : $0.1461
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Avnet Express
TP0610K-T1-E3Vishay Semiconductors- Tape and Reel3,000 : $0.1066
5,999 : $0.0906
11,999 : $0.0773
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Avnet Express
TP0610K-T1-E3Vishay Siliconix60V P-CH ENHANCE MOSFET W/ESD PROTE - Cut TR (SOS)1 : $0.5576
9 : $0.3264
49 : $0.2448
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Avnet Express
TP0610K-T1-E3Vishay Semiconductors60V P-CH ENHANCE MOSFET W/ESD PROTECTION3,000 : $0.1931
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Bristol Electronics
TP0610K-T1-E3Vishay Intertechnologies价格未公开
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TP0610K-T1-E3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin TO-236 T/R
RoHS : Compliant
3,000 : $0.146
6,000 : $0.132
12,000 : $0.128
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Crestwood Technology Group
TP0610K-T1-E3价格未公开
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Digi-Key 得捷电子
TP0610K-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-315,000 : $0.087
6,000 : $0.093
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
TP0610K-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3$0.45000
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element14 Asia-Pacific
TP0610K-T1-E3Vishay SiliconixP CH MOSFET FULL REEL
RoHS : Compliant
3,000 : $1.1
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Future Electronics
TP0610K-T1-E3Vishay IntertechnologiesSingle P-Channel 60 V 10 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOT-23
RoHS : Compliant
1 : $0.1667
60 : $0.1656
750 : $0.1533
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
TP0610K-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET -60V Vds 20V Vgs SOT-231:¥3.6838
10:¥2.7798
100:¥2.0679
500:¥1.695
3,000:¥1.1865
6,000:查看
元器件资料网-Quest Components的LOGO
Quest Components
TP0610K-T1-E3Vishay Siliconix 185 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB186 : $0.18
23 : $0.27
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RS Components
TP0610K-T1-E3Vishay IntertechnologiesMOSFET P-Channel 60V 0.185A TO236价格未公开
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Verical
TP0610K-T1-E3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin TO-236 T/R$0.0972
元器件资料网-Wuhan P&S的LOGO
Wuhan P&S
TP0610K-T1-E3Vishay Intertechnologies60V,185mA,P-Channel MOSFET1 : $0.1
100 : $0.1
1,000 : $0.1
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立创商城
TP0610K-T1-E3VISHAY(威世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):185mA 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:6Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:P沟道1+:¥1.14
10+:¥1.11