系列：TrenchFET®
FET类型：P 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：385mA（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：1nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：31pF @ 15V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：350mW（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：1.4 欧姆 @ 500mA，10V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装形式Package：SOT-23
极性Polarity：P-CH
漏源极击穿电压VDSS：30V
连续漏极电流ID：0.385A
无铅情况/RoHs：否