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TN5335K1-G /MOSFET 350V 15Ohm
TN5335K1-G的规格信息
TN5335K1-G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Microchip

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:350 V

Id-连续漏极电流:110 mA

Rds On-漏源导通电阻:15 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:600 mV

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:360 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.95 mm

长度:2.9 mm

产品:MOSFET Small Signal

晶体管类型:1 N-Channel

类型:FET

宽度:1.3 mm

商标:Microchip Technology

正向跨导 - 最小值:125 mS

下降时间:25 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:15 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:25 ns

典型接通延迟时间:20 ns

单位重量:8 mg

供应商TN5335K1-G
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TN5335K1-GMicrochip Technology Inc.MOSFET; N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE; 350V; 15 Ohm3 SOT-23T/R+3000:$0.68
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TN5335K1-GMicrochip TechnologyMOSFET 350V 15Ohm1:¥5.763
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