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TN2130K1 / MOSFET 300V 25Ohm
TN2130K1的规格信息
TN2130K1的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Microchip

产品种类:MOSFET

RoHS:

商标:Microchip Technology

Id-连续漏极电流:85 mA

Vds-漏源极击穿电压:300 V

Rds On-漏源导通电阻:25 Ohms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:360 mW

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:7 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:7 ns

工厂包装数量:3000

典型关闭延迟时间:12 ns

典型接通延迟时间:10 ns

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深圳市成源运利电子科技有限公司TN2130K1-G深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
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TN2130K1-GMOSFET; N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE; 300V; 25 Ohm3 SOT-23T/RMicrochip Technology Inc.Microchip Technology Inc.的LOGO751.26 Kbytes共16页TN2130K1-G的PDF下载地址
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