应用：通用

安装类型：表面贴装，MLCC

封装/外壳：1210（3225 公制）

尺寸 ：0.126" 长 x 0.098" 宽（3.20mm x 2.50mm）

厚度（最大值）：0.037"（0.95mm）

容值：10uF

偏差：±20%

电压：25V

温度系数：X5R

工作温度：-55°C ~ 85°C

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：12.5A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：53nC @ 5V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：2180pF @ 15V

功率耗散（最大值）：2.5W（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：9 毫欧 @ 12.5A，10V

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs