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TMB80N08A /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：170W(Tc) 类型：N沟道

TMB80N08A的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）80V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）80A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻8.5mΩ @ 30A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）170W(Tc)

类型N沟道

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TMB80N08A	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：170W(Tc) 类型：N沟道	无锡紫光微		377.25 Kbytes	共7页		无

TMB80N08A的全球分销商及价格

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立创商城	TMB80N08A	无锡紫光微	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：170W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥2.99 10+:￥2.26 30+:￥2.13 100+:￥2 500+:￥1.94 1000+:￥1.91

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