FET 类型N 沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）25A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3.5V @ 1.2mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）40nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs10V

Vgs（最大值）±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）2400pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds300V

功率耗散（最大值）180W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）135 毫欧 @ 7.5A，10V

工作温度150°C

安装类型表面贴装

供应商器件封装5-DFN（8x8）

封装/外壳4-VSFN 裸露焊盘

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs