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TJ8S06M3L(T6L1,NQ) /MOSFET P-Ch MOS -8A -60V 27W 890pF 0.104
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:8 A

Rds On-漏源导通电阻:104 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:19 nC

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:27 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.3 mm

长度:6.5 mm

系列:TJ8S06M3L

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:5.5 mm

商标:Toshiba

下降时间:34 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:6 ns

工厂包装数量:2000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:140 ns

典型接通延迟时间:14 ns

单位重量:340 mg

供应商TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
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