标准包装：2,000

类别：分立半导体产品

家庭：JFET（结点场效应

系列：-

包装：散装

FET 类型：N 沟道

电压 - 击穿（V（BR）GSS）：30V

漏源极电压（Vdss）：-

不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）：8mA @ 15V

漏极电流（Id） - 最大值：-

不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：800mV @ 4nA

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：18pF @ 10V（VGS）

电阻 - RDS（开）：60 欧姆

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体

供应商器件封装：TO-92-3

功率 - 最大值：350mW