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TIP111TU /达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil Darl
TIP111TU的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:达林顿晶体管

RoHS:是

配置:Single

晶体管极性:NPN

集电极—发射极最大电压 VCEO:80 V

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

集电极—基极电压 VCBO:80 V

最大直流电集电极电流:2 A

最大集电极截止电流:1000 uA

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220AB

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:TIP111

封装:Bulk

高度:9.4 mm

长度:10.67 mm

宽度:4.83 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

直流集电极/Base Gain hfe Min:1000 at 1 A at 4 V, 500 at 2 A at 4 V

产品类型:Darlington Transistors

工厂包装数量:1200

子类别:Transistors

单位重量:1.214 g

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Digi-Key 得捷电子		TIP111TUFairchild SemiconductorPOWER BIPOLAR TRANSISTOR, 2A, 80$0.29000
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