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TIG065E8-TL-H /IGBT 晶体管 HIGH POWER SWITCHING
TIG065E8-TL-H的规格信息
TIG065E8-TL-H的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:

技术:Si

封装 / 箱体:ECH-8

安装风格:SMD/SMT

配置:Single Quad Collector Triple Emitter

集电极—发射极最大电压 VCEO:400 V

集电极—射极饱和电压:4.2 V

栅极/发射极最大电压:4 V

在25 C的连续集电极电流:150 A

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:TIG065E8

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

集电极最大连续电流 Ic:150 A

商标:ON Semiconductor

栅极—射极漏泄电流:10 uA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:3000

子类别:IGBTs

供应商TIG065E8-TL-H
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深圳市芯幂科技有限公司TIG065E8-TL-H深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240517080955875
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TIG065E8-TL-HON SemiconductorTIG065E8-TL-H; IGBT Transistor; 150 A 400 V; 1MHz; 8-Pin ECH+20:$0.51
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TIG065E8-TL-HON SemiconductorIGBT - 单路 - 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 HIGH POWER SWITCHING1+:¥6.62
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TIG065E8-TL-HON SemiconductorIGBT 400V 150A ECH8Active
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TIG065E8-TL-HON SemiconductorIGBT 晶体管 HIGH POWER SWITCHING1:¥6.3732
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