图像仅供参考,请参阅规格书
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)-30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)4A
栅源极阈值电压1.2V @ 250uA
漏源导通电阻100mΩ @ 1.2A,2.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.2W
类型P沟道