标准包装:8,000
类别:分立半导体产品
家庭:JFET(结点场效应
系列:-
包装:带卷(TR)
FET 类型:N 沟道
电压 - 击穿(V(BR)GSS):-
漏源极电压(Vdss):-
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):140µA @ 2V
漏极电流(Id) - 最大值:1mA
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):100mV @ 1µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3.1pF @ 2V
电阻 - RDS(开):-
安装类型:表面贴装
封装/外壳:3-SMD,扁平引线
供应商器件封装:3-VTFP
功率 - 最大值:100mW