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TF2305B /连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):16V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:80mΩ @ 3A,2.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:P沟道
TF2305B的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)16V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)4A

栅源极阈值电压1V @ 250uA

漏源导通电阻80mΩ @ 3A,2.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)1W

类型P沟道

供应商TF2305B
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TF2305B连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):16V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:80mΩ @ 3A,2.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:P沟道TuoFeng(拓锋)TuoFeng(拓锋)的LOGO623.71 Kbytes共6页TF2305B的PDF下载地址
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TF2305BTuoFeng(拓锋)连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):16V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:80mΩ @ 3A,2.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:P沟道20+:¥0.203459
200+:¥0.153479
600+:¥0.144299
2000+:¥0.135119
10000+:¥0.131039
20000+:¥0.129023