图像仅供参考,请参阅规格书
产品种类Phototransistors
最大功率耗散100 mW
最大暗电流200 nA
封装 / 箱体PLCC-2
集电极—发射极最大电压 VCEO70 V
下降时间6 us
最大工作温度+ 100 C
最小工作温度- 40 C
封装Reel
上升时间6 us
工厂包装数量1500
类型Photodiode