封装/外壳：BG-PB34-1

RoHS：Y

系列：TD162N

保持电流Ih最大值：200mA

栅极触发电流-Igt：150mA

安装风格：SMD/SMT

封装：Tray

RoHS compliant：yes

Packing Type：TRAY

Moisture Level：NA

Configuration：SCR / Diode Phase Control

VDRM / VRRM [V]：1600.0

VDRM/ VRRM (V)：1600.0V

(diT/dt)cr [A/µs] (@DIN IEC 747- 6)：150.0

Housing：Power Block 34 mm

rT [mΩ] (@Tvj max) max：0.95

Tvj [°C] max：125.0

VT0 [V] (@Tvj max) max：0.85

∫I2dt [A²s · 103] (@10ms, Tvj max)：97.0

RthJC [K/W] (@180° el sin) max：0.2

IFAVM/TC / ITAVM/TC [A/°C] (@180° el sin)：162/85

IFSM / ITSM：4400.0A

IFAVM / TC / ITAVM / TC：162/85 (180° el sin) A/°C

IFSM / ITSM [A] (@10ms, Tvj max)：4400.0

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs