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TC8220K6-G /MOSFET 2PR N- & PCH ENHANCE MODE MOSFET
TC8220K6-G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Microchip

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DFN-12

通道数量:4 Channel

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:200 V

Id-连续漏极电流:2.3 A

Rds On-漏源导通电阻:6 Ohms, 7 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

配置:Quad

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:Reel

产品:MOSFET Small Signal

晶体管类型:2 N-Channel, 2 P-Channel

商标:Microchip Technology

正向跨导 - 最小值:400 mS, 400 mS

下降时间:15 ns, 15 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:15 ns, 15 ns

工厂包装数量:3300

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:20 ns, 20 ns

典型接通延迟时间:10 ns, 10 ns

单位重量:41.400 mg

供应商TC8220K6-G
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TC8220K6-GMicrochip Technology Inc.TWO PAIR; N- AND P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET12 VDFN 4x4x1.0mm T/R+3300:$3.43
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TC8220K6-GMicrochip3300+:¥10.55
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TC8220K6-GMicrochip TechnologyMOSFET 2PR N- & PCH ENHANCE MODE MOSFET1:¥15.0629
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