驱动配置：低压侧

通道类型：独立式

驱动器数：4

栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET

电压 - 电源：4.5 V ~ 18 V

逻辑电压 - VIL，VIH：0.8V，2.4V

电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：1.2A，1.2A

输入类型：非反相

上升/下降时间（典型值）：15ns，15ns

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：14-CDIP（0.300"，7.62mm）

供应商器件封装：14-CERDIP

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs