安装类型：表面贴装

封装/外壳：1411

尺寸 ：0.138" 长 x 0.110" 宽（3.50mm x 2.80mm）

高度 - 安装（最大值）：0.079"（2.00mm）

制造商尺寸代码：B

特性：通用

类型：模制

ESR（等效串联电阻）：80 毫欧

不同温度时的使用寿命：105°C 时为 2000 小时

FET 类型：N 沟道

技术：GaNFET（氮化镓）

漏源电压（Vdss）：100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：6A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 1.2mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：2.2nC @ 5V

Vgs（最大值）：+6V，-4V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：220pF @ 50V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：30 毫欧 @ 6A，5V

底座长度：1.1mm MIN

底座宽度：0.4mm ±0.15mm

描述：SMD, Polymer, Molded, Low ESR

电介质：Polymer Tantalum

DF耗散系数：8.00% 120Hz 25C

故障率：N/A

特征：Automotive

Footprint：3528

宽度：3.5mm ±0.2mm

漏泄电流：33 uA (5min 25C)

MSL：3

引线间距：0.5mm REF

包装：T&R, 178mm

Qualifications：AEC-Q200 (Limited 500 Hrs 85C/85% RH/Ur)

R：1mm REF

额定温度：105C

电阻：80mOhms(100kHz25C)

纹波电流：1260 mAmps (100kHz 45C), 1134 mAmps (85C), 315 mAmps (125C)

RoHS：Yes

引脚间距：0.8mm ±0.3mm

T：0.13mm REF

工作温度：-55°C ~ 125°C

Termination：Tin

引脚宽度：2.8mm ±0.2mm

单位重量：94.85 mg

X：0.1mm ±0.1mm

电压：10V

偏差：±20%

容值：33uF

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs