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SW38N65KF /连续漏极电流(Id)(25°C 时):38A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:118mΩ @ 19A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):313W(Tc) 类型:N沟道
SW38N65KF的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)650V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)38A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻118mΩ @ 19A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)313W(Tc)

类型N沟道

供应商SW38N65KF
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SW38N65KFSamwin (芯派)连续漏极电流(Id)(25°C 时):38A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:118mΩ @ 19A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):313W(Tc) 类型:N沟道1+:¥17.79
10+:¥13.05
30+:¥12.17
100+:¥11.3
500+:¥10.91
1000+:¥10.72