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SW38N65KF /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：38A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：118mΩ @ 19A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：313W(Tc) 类型：N沟道

SW38N65KF的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）650V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）38A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻118mΩ @ 19A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）313W(Tc)

类型N沟道

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SW38N65KF及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
SW38N65KF	N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET	SEMIPOWER[Xian Semipower Electronic Technology Co., Ltd.]		838.21 Kbytes	共6页		无

SW38N65KF的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
立创商城	SW38N65KF	Samwin (芯派)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：38A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：118mΩ @ 19A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：313W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥17.79 10+:￥13.05 30+:￥12.17 100+:￥11.3 500+:￥10.91 1000+:￥10.72

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