SW38N65KF
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):38A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:118mΩ @ 19A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):313W(Tc) 类型:N沟道
SW38N65KF的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)38A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻118mΩ @ 19A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)313W(Tc)
类型N沟道
SW38N65KF
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SW38N65KF | N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET | SEMIPOWER[Xian Semipower Electronic Technology Co., Ltd.] | ![SEMIPOWER[Xian Semipower Electronic Technology Co., Ltd.]的LOGO](/PdfSupLogo/889SEMIPOWER.GIF) | 838.21 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
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 立创商城 | SW38N65KF | Samwin (芯派) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):38A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:118mΩ @ 19A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):313W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥17.79 10+:¥13.05 30+:¥12.17 100+:¥11.3 500+:¥10.91 1000+:¥10.72
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