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STWA88N65M5 /MOSFET N-Ch 650 V 0.024 Ohm 84 A MDmesh(TM)
STWA88N65M5的规格信息
STWA88N65M5的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:84 A

Rds On-漏源导通电阻:24 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:240 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:450 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:MDmesh

封装:Tube

系列:STWA88N65M5

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:29 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:16 ns

工厂包装数量:600

子类别:MOSFETs

单位重量:38 g

供应商STWA88N65M5
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STWA88N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 84A TO247$15.41000
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STWA88N65M5ST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):84A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:29mΩ @ 42A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):450W(Tc) 类型:N沟道1+:¥123.71
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